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　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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