大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场(1页是一面还是两面啊，1页是一张还是一面chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中1页是一面还是两面啊，1页是一张还是一面受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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