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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江小舞去掉所有衣服是什么样子的波龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nè小舞去掉所有衣服是什么样子的i)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好(hǎ小舞去掉所有衣服是什么样子的o)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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