大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xi102693是哪个学校代码，10532是哪个学校代码àn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审102693是哪个学校代码，10532是哪个学校代码查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo102693是哪个学校代码，10532是哪个学校代码)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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