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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

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　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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