大家好，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询顶的速度越来越快越叫的原因，顶的速度越来越快过程机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三顶的速度越来越快越叫的原因，顶的速度越来越快过程星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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