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黑头导出液是智商税吗,刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗

黑头导出液是智商税吗,刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

  据网(wǎng)信办(bàn)消息,日前,网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全风险,影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此,网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。黑头导出液是智商税吗,刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗>

  此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá),目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开(kāi)放,只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要(yào)求,欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全,防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn),维护(hù)国家(jiā)安全,依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》,网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对(duì)美(měi)光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

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  美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头,也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī),2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57%降至2022年约(yuē)11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存(cún))市场份额(é)约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì),江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng),巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势,公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

  有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析,如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制,或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75%。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单,设备国产化进程加(jiā)速(sù),看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及(jí)存储(chǔ)业务(wù黑头导出液是智商税吗,刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗)占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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