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　　美光(guāng)公司在华销售(s一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米hòu)的产品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米luò)安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米guāng)、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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