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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiā古巴人口和面积是多少，古巴多大面积和人口n)署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导古巴人口和面积是多少，古巴多大面积和人口致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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