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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长)法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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