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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高across 和 cross的区别，cross和across区别和用法水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入(racross 和 cross的区别，cross和across区别和用法ù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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