大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问再续前缘的意思是什么，再续前缘的意思可以形容好朋友吗题(tí)危害国家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidig再续前缘的意思是什么，再续前缘的意思可以形容好朋友吗m 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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