大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法错一个题就往阴里装一支笔规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。错一个题就往阴里装一支笔>

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ错一个题就往阴里装一支笔)经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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