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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安全新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗法》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗hǎi)力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存新联会是事业编制吗 加入新联会很厉害吗储等公司(sī)披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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