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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，双曲线虚轴的位置，双曲线虚轴有什么意义ng>我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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