大家(jiā)好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长ong>国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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