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季明宇是什么电视剧名称 季明宇是叶海山吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

  据网信办(bàn)消息(xī),日前,网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

  审(shěn)查发(fā)现,美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn),影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此,网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规,我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全审查,目的(de)是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全,是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开放(fàng),只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

  半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)突(tū)发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称(chēng),为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全,防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险,维(wéi)护国家安全,依据《中华人民共和国季明宇是什么电视剧名称 季明宇是叶海山吗国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》,网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)季明宇是什么电视剧名称 季明宇是叶海山吗头,也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、季明宇是什么电视剧名称 季明宇是叶海山吗美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降,至少已经不(bù)是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示,江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng),巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

  有券商(shāng)此前就分析,如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì),或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

  分析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽,催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单,设(shè)备国产化进程(chéng)加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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