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对角线相等的四边形是什么四边形,对角线相等的平行四边形是什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

  据网信办(bàn)消息,日前(qián),网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此,网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规对角线相等的四边形是什么四边形,对角线相等的平行四边形是什么我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查,目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全,是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放,只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

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  3月31日(rì),中国网信网发文(wén)称,为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全(quán),防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险,维护国(guó)家安全,依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》,网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购!

  美光(guāng)是美(měi)国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头,也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一,2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng),江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng),至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性,巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势,公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到(dào)限制(zhì),或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)对角线相等的四边形是什么四边形,对角线相等的平行四边形是什么关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的(de)深(shēn)孔,未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽,催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75%。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加(jiā)入美国(guó)限制名单,设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提升,以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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