大(dà)家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家夂叫什么部首怎么读，夂叫什么部首拼音an style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>夂叫什么部首怎么读，夂叫什么部首拼音关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)夂叫什么部首怎么读，夂叫什么部首拼音代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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