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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 9行在姓氏中读什么音，行在姓氏中读什么拼音4.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华行在姓氏中读什么音，行在姓氏中读什么拼音海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。<行在姓氏中读什么音，行在姓氏中读什么拼音/p>

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