大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络(luò现实中有和自己儿子的吗，有多少给过自己的儿子)安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND 现实中有和自己儿子的吗，有多少给过自己的儿子Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江现实中有和自己儿子的吗，有多少给过自己的儿子波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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