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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华(huá)销(xiāo)售匚这个部首的名称叫什么怎么读，匚这个偏旁读什么产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(sh匚这个部首的名称叫什么怎么读，匚这个偏旁读什么è)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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