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火车站同站换乘30分钟够吗 同站换乘麻烦吗

火车站同站换乘30分钟够吗 同站换乘麻烦吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一(yī)则(zé)突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

  美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

  据(jù)网信办消息,日前(qián),网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

  审查发现,美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险,影响我国国(guó)家安(ān)全火车站同站换乘30分钟够吗 同站换乘麻烦吗为此,网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查,目的(de)是防范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安(ān)全,是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网信网发文称,为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链安(ān)全,防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险(xiǎn),维护(hù)国(guó)家安全(quán),依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》,网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头,也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光火车站同站换乘30分钟够吗 同站换乘麻烦吗、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降,至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示,江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约,确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势,公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前就分析,如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì),或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

  分(fēn)析称,长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽,催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露,薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75%。自(zì)长江存储被加入美国限制名单,设备国产化进程(chéng)加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等(děng)相关公司份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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