大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息(xī)基(jī)础(c嘉祥县属于哪个市 济宁嘉祥是不是很穷hǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào嘉祥县属于哪个市 济宁嘉祥是不是很穷)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 嘉祥县属于哪个市 济宁嘉祥是不是很穷