大家(jiā)好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guān当兵的人会不会那方面不行，当兵男是不是都精力旺盛g)是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng当兵的人会不会那方面不行，当兵男是不是都精力旺盛)国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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