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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销孙悟空真实存在过吗售受(s孙悟空真实存在过吗hòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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