大家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公镇关西是谁，镇关西是谁打死的司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidi镇关西是谁，镇关西是谁打死的gm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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