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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

<三件套是哪三件span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>三件套是哪三件　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(x三件套是哪三件ū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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