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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安站姐主要是做什么的，站姐是什么干什么的全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前站姐主要是做什么的，站姐是什么干什么的就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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