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什么的柳条填合适的词,什么的柳条填空 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查

  据网(wǎng)信办消息,日(rì)前,网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患,对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险,影响我国国家安全。为(wèi)此,网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规,我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查,目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全,防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险,维护国家安全,依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市场(chǎng)份额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降,至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

  公(gōng)告显示(shì), 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆什么的柳条填合适的词,什么的柳条填空lor: #ff0000; line-height: 24px;'>什么的柳条填合适的词,什么的柳条填空供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示,江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司在下游市场的(de)供应优势,公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

  有券商(shāng)此前就分析,如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制,或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会什么的柳条填合适的词,什么的柳条填空更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo),催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公(gōng)司份额提(tí)升,以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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