大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华为什么白洞比黑洞恐怖，白洞和黑洞哪个更可怕0000; line-height: 24px;'>为什么白洞比黑洞恐怖，白洞和黑洞哪个更可怕人民共和(hé)国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gā为什么白洞比黑洞恐怖，白洞和黑洞哪个更可怕o)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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