大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 禁欲可以恢复性功能吗，禁欲多久可以恢复肾气年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应禁欲可以恢复性功能吗，禁欲多久可以恢复肾气商，采购约31禁欲可以恢复性功能吗，禁欲多久可以恢复肾气亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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