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直径26厘米等于多少寸,26厘米等于多少寸英寸 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

  美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn),影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此(cǐ),网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规,我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

  此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安(ān)全(quán)审查,目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全,是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放,只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文(wén)称,为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全风险,维(wéi)护(hù)国家安全(quán),依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》,网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》,对美光公(gōng)司(Micron)在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一,2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、So直径26厘米等于多少寸,26厘米等于多少寸英寸lidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降,至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商,采购约31亿(yì)元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示,江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势,公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī),如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制,或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽,催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù),薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资直径26厘米等于多少寸,26厘米等于多少寸英寸本开支(zhī)合计为75%。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单,设备国(guó)产化进程(chéng)加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提(tí)升,以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增(zēng)长。

 

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