大家好，来(lái)看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xí太原市长热线电话是多少号，太原市长热线电话号码查询ng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一太原市长热线电话是多少号，太原市长热线电话号码查询，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内太原市长热线电话是多少号，太原市长热线电话号码查询存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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