大(dà)家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通作风建设包括哪些方面问题，机关作风建设包括哪些方面过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎ作风建设包括哪些方面问题，机关作风建设包括哪些方面n)品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）作风建设包括哪些方面问题，机关作风建设包括哪些方面等收入增(zēng)长。

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