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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎn80寸电视尺寸长宽多少g)我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全(quán)80寸电视尺寸长宽多少球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 20280寸电视尺寸长宽多少1年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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