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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停(tín吴亦凡资产多少亿g)止(zhǐ吴亦凡资产多少亿)采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NA吴亦凡资产多少亿ND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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