大家好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存(cún心情五味杂陈啥意思，打翻了五味杂陈啥意思)储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài心情五味杂陈啥意思，打翻了五味杂陈啥意思)下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外心情五味杂陈啥意思，打翻了五味杂陈啥意思三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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