大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)女人婚外情会断干净吗，女人婚外情能说断就断吗审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器女人婚外情会断干净吗，女人婚外情能说断就断吗的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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