大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储已婚男人睡完你后的心态，已婚男的得到你一次之后晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时已婚男人睡完你后的心态，已婚男的得到你一次之后ine-height: 24px;'>已婚男人睡完你后的心态，已婚男的得到你一次之后代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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