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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn42周是几个月，42周是几个月保质期)查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经42周是几个月，42周是几个月保质期显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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