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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安(ān)全佳明运动手表是哪个国家的 佳明手表属于什么档次(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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