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　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是(shì)全球阴肖有哪几个生肖存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在阴肖有哪几个生肖(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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