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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。成都高新区属于哪个行政区划，成都高新区是哪个行政区p>

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）成都高新区属于哪个行政区划，成都高新区是哪个行政区市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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