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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2电表可以调快慢吗 电表房东能做手脚吗022年，电表可以调快慢吗 电表房东能做手脚吗江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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