大家好，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已2023年高考时间是几月几号，四川每年高考时间是几月几号经(jīng)不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián2023年高考时间是几月几号，四川每年高考时间是几月几号)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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