大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美国领土超过中国了吗，美国领土比中国领土大吗美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fē美国领土超过中国了吗，美国领土比中国领土大吗ng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫美国领土超过中国了吗，美国领土比中国领土大吗存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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