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朱子家训是谁写的 朱子家训的作者是谁

朱子家训是谁写的 朱子家训的作者是谁 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

  据网(wǎng)信办消息,日(rì)前(qián),网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险,影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此,网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī),我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施朱子家训是谁写的 朱子家训的作者是谁的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查(chá),目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全,是(shì)维护国(guó)家安全的必朱子家训是谁写的 朱子家训的作者是谁要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称,为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全,防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn),维护国家安(ān)全,依据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》,网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》,对美光(guāng)公(gōng)司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头,也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国朱子家训是谁写的 朱子家训的作者是谁(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的供应优势,公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到(dào)限制(zhì),或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤,同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔(kǒng),未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽,催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单,设备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份额提(tí)升,以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(hǎi)(清洗)等(děng)收入增(zēng)长。

 

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