大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在22寸是多少厘米(zài)华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较(j22寸是多少厘米iào)严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zu22寸是多少厘米ò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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