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　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国俩人与两人的区别用哪个合适，小俩口还是小两口(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合计(j俩人与两人的区别用哪个合适，小俩口还是小两口ì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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